페이지 인쇄
SUG90090E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 100 A, 9500 µohm, TO-247, Through Hole
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
7,868 재고
2,000 지금 제품을 예약하실 수 있습니다
7,868 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩9,691 |
| 10+ | ₩5,600 |
| 100+ | ₩4,623 |
| 500+ | ₩3,922 |
| 1000+ | ₩3,844 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩9,691
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SUG90090E-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드2747695
Product RangeThunderFET
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation395W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
395W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0061