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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SUM110P06-08L-E3복사
제조업체 표준 리드 타임46주
주문 코드2646409
Product RangeTrenchFET
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation272W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
272W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
SUM110P06-08L-E3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Israel
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002379