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SUP53P06-20-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩2,847 |
| 10+ | ₩2,164 |
| 100+ | ₩2,135 |
| 500+ | ₩2,062 |
| 1000+ | ₩2,021 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SUP53P06-20-E3
주문 코드1684102
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source On State Resistance0.0195ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The SUP53P06-20-E3 is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- 100% UIS Tested
애플리케이션
Power Management
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
53A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0195ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.004173