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TSHF5210
Infrared Emitter, High Speed, 890 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 30 mW/Sr, 30 ns, 30 ns
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|---|---|
| 1+ | ₩901 |
| 10+ | ₩628 |
| 25+ | ₩576 |
| 50+ | ₩524 |
| 100+ | ₩472 |
| 500+ | ₩395 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호TSHF5210
주문 코드1779669
기술 데이터 시트
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Rise Time30ns
Fall Time tf30ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.4V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The TSHF5210 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK -coded, 450KHz or 1.3MHz) and smoke-automatic fire detectors.
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±10° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
기술 사양
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
30ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
30mW/Sr
Fall Time tf
30ns
Forward Voltage VF Max
1.4V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000361