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TSHG5510
Infrared Emitter, High Speed, 830 nm, 38 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,522 |
| 10+ | ₩1,045 |
| 25+ | ₩884 |
| 50+ | ₩787 |
| 100+ | ₩700 |
| 500+ | ₩618 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호TSHG5510
주문 코드1779675
기술 데이터 시트
Peak Wavelength830nm
Angle of Half Intensity38°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)15mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.45V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
제품 개요
The TSHG5510 is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant intensity
- ±38° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Good spectral matching with Si photo-detectors
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Peak Wavelength
830nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
38°
Radiant Intensity (Ie)
15mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.45V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
TSHG5510의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454