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TSTS7100
Infrared Emitter, Hermetically Sealed, 950 nm, 5 °, TO-18, 800 mW/Sr, 800 ns
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩5,068 |
| 10+ | ₩3,645 |
| 25+ | ₩3,477 |
| 50+ | ₩3,308 |
| 100+ | ₩3,140 |
| 500+ | ₩2,971 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호TSTS7100
주문 코드1652535
기술 데이터 시트
Peak Wavelength950nm
Angle of Half Intensity5°
Diode Case StyleTO-18
Radiant Intensity (Ie)800mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.3V
Operating Temperature Min-
Operating Temperature Max-
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
950nm emitting diode in GaAs technology in a hermetically sealed package suitable for use in radiation source in near infrared range.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ϕ = ±5°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Peak Wavelength
950nm
Diode Case Style
TO-18
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
5°
Radiant Intensity (Ie)
800mW/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
1.3V
Operating Temperature Max
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000334