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VS-FB180SA10P
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VS-FB180SA10P
주문 코드1611466
Product RangeTUK SGACK902S Keystone Coupler
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation480W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHCTo Be Advised
제품 개요
The VS-FB180SA10P is a 5th generation high current density N channel Power MOSFET is paralleled into a compact, high power module providing the best combination of switching, ruggedized design, very low on-resistance and cost effectiveness.
- Easy to use and parallel
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Simple drive requirements
- Low drain to case capacitance
- Low internal inductance
애플리케이션
Industrial, Commercial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
480W
Product Range
TUK SGACK902S Keystone Coupler
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:To Be Advised
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.036515