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VS-GT200TS065N
IGBT Module, Half Bridge, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VS-GT200TS065N
주문 코드4486849
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current193A
Collector Emitter Saturation Voltage-
Power Dissipation517W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleINT-A-PAK
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
-
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Product Range
-
Continuous Collector Current
193A
Power Dissipation
517W
Transistor Case Style
INT-A-PAK
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.185