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VSLY3850
Infrared Emitter, High Speed, 850 nm, 18 °, T-1 (3mm), 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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|---|---|
| 1+ | ₩2,004 |
| 10+ | ₩1,467 |
| 25+ | ₩1,347 |
| 50+ | ₩1,227 |
| 100+ | ₩1,106 |
| 500+ | ₩943 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VSLY3850
주문 코드1870806
기술 데이터 시트
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity18°
Diode Case StyleT-1 (3mm)
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The VSLY3850 is a 850nm high speed Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and moulded in a clear. It is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission, 3D TV application and light curtains.
- High speed
- High radiant power
- High radiant intensity
- ±18° Angle of half intensity
- Good spectral matching with CMOS cameras
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
T-1 (3mm)
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
18°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002268