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VSLY5850
Infrared Emitter, High Speed, 850 nm, 3 °, T-1 3/4 (5mm), 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
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|---|---|
| 1+ | ₩2,048 |
| 10+ | ₩1,496 |
| 25+ | ₩1,375 |
| 50+ | ₩1,254 |
| 100+ | ₩1,132 |
| 500+ | ₩966 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VSLY5850
주문 코드1870807
기술 데이터 시트
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity3°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The VSLY5850 is a 850nm Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and high speed and moulded in a clear. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission, smoke-automatic fire detectors and IR flash.
- Leads with stand-off
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ±3° Narrow angle of half intensity
기술 사양
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
3°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000454