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VSMB1940X01
Infrared Emitter, 940 nm, 60 °, 0805, 6 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,351 |
| 10+ | ₩940 |
| 25+ | ₩857 |
| 50+ | ₩774 |
| 100+ | ₩690 |
| 500+ | ₩580 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VSMB1940X01
주문 코드1779752
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
기술 데이터 시트
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity60°
Diode Case Style0805
Radiant Intensity (Ie)6mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.35V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
The VSMB1940X01 is an infrared, 940nm emitting diode in GaAlAs Double Hetero technology with high radiant power and high speed, moulded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting (SMD). It is suitable for use in high speed IR data transmission, high power emitter for low space applications, high performance transmissive or reflective sensors.
- Package form: 0805
- Dimensions (L x W x H in mm): 2 x 1.25 x 0.85
- Peak wavelength: λp = 940nm
- High radiant intensity
- Angle of half sensitivity: ϕ = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
기술 사양
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
0805
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
MSL
MSL 3 - 168 hours
Angle of Half Intensity
60°
Radiant Intensity (Ie)
6mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.35V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
GaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
VSMB1940X01의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000191