페이지 인쇄
VSML3710-GS08
Infrared Emitter, High Power, 940 nm, 60 °, LCC, 9.5 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
7,500 재고
더 필요하세요?
7,500 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩768 | ₩3,840 |
| 총계 가격 | ₩3,840 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩768 |
| 10+ | ₩526 |
| 100+ | ₩383 |
| 500+ | ₩316 |
| 1000+ | ₩273 |
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VSML3710-GS08복사
제조업체 표준 리드 타임4주
주문 코드
리릴링1328302RL
컷 테이프1328302
기술 데이터 시트
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity60°
Diode Case StyleLCC
Radiant Intensity (Ie)9.5mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.35V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification StandardAEC-Q100
Product Range-
제품 개요
The VSML3710-GS08 is a 940nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology. It is moulded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). It is suitable for use in IR emitter in photointerrupters, sensors and reflective sensors, IR emitter in low space applications, household appliance and tactile keyboards.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±60° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
기술 사양
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
LCC
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q100
Angle of Half Intensity
60°
Radiant Intensity (Ie)
9.5mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
1.35V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000077