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VSML3710-GS18
Infrared Emitter, High Power, 940 nm, 60 °, LCC, 9.5 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
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|---|---|
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| 500+ | ₩369 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호VSML3710-GS18
주문 코드2251604
기술 데이터 시트
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity60°
Diode Case StyleLCC
Radiant Intensity (Ie)9.5mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification StandardAEC-Q100
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
제품 개요
High power infrared emitting diode, 940nm, GaAlAs MQW. It is suitable for use in IR emitter in photo interrupters, sensors and reflective sensors, IR emitter in low space applications, household appliance and tactile keyboards.
- AEC-Q101 qualified
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
LCC
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q100
MSL
-
Angle of Half Intensity
60°
Radiant Intensity (Ie)
9.5mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
-
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001633