페이지 인쇄
CAS350M12BM3
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 417 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
1 재고
더 필요하세요?
1 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,314,905 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩1,314,905
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체WOLFSPEED
제조업체 부품 번호CAS350M12BM3
주문 코드4258107
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id417A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.004ohm
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
417A
Drain Source On State Resistance
0.004ohm
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Max
150°C
CAS350M12BM3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.345637