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E3M0120090D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
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|---|---|
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| 5+ | ₩15,045 |
| 10+ | ₩13,360 |
| 50+ | ₩12,082 |
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| 250+ | ₩10,499 |
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제품 정보
제조업체WOLFSPEED
제조업체 부품 번호E3M0120090D
주문 코드2916497
Product RangeE
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation97W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
MSL-
SVHCTo Be Advised
E3M0120090D의 대체 제품
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기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
23A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
97W
Product Range
E
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001