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XP6NA1R4CXT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 210 A, 1450 µohm, PMPAK, Surface Mount
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|---|---|
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| 10+ | ₩2,747 |
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제품 정보
제조업체YAGEO XSEMI
제조업체 부품 번호XP6NA1R4CXT
주문 코드4168972
Product RangeXP6NA1R4C Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance1450µohm
Transistor Case StylePMPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP6NA1R4C Series
Qualification-
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
PMPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1450µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
XP6NA1R4C Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001