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HSMS-2802-TR1G
RF Schottky Diode, Barrier, Dual Series, 70 V, 1 A, 410 mV, 2 pF, SOT-23
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제품 정보
제조업체BROADCOM
제조업체 부품 번호HSMS-2802-TR1G
주문 코드1056834
Product RangeHSMS
기술 데이터 시트
Diode ConfigurationDual Series
Reverse Voltage70V
Forward Current1A
Forward Voltage410mV
Diode Capacitance2pF
Diode Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHSMS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
제품 개요
The HSMS-2802-TR1G is a 3-pin dual surface-mount RF Schottky Barrier Diode for both analogue and digital applications. The HSMS-280x family has the highest breakdown voltage, but at the expense of a high value of series resistance (Rs). In applications which do not require high voltage the HSMS-282x family, with a lower value of series resistance, will offer higher current carrying capacity and better performance.
- High breakdown voltage
- Low FIT (failure in time) rate
- Six-sigma quality level
- 35R Typical dynamic resistance
- 500°C/W Thermal resistance
- 150°C Junction temperature
애플리케이션
RF Communications
경고
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
기술 사양
Diode Configuration
Dual Series
Forward Current
1A
Diode Capacitance
2pF
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Reverse Voltage
70V
Forward Voltage
410mV
Diode Case Style
SOT-23
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
HSMS
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033