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TQM150NB04DCR RLG
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
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제품 정보
제조업체 부품 번호TQM150NB04DCR RLG
주문 코드3773033RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel39A
On Resistance Rds(on)0.0103ohm
Continuous Drain Current Id P Channel39A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0103ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0103ohm
Transistor Case StylePDFN56U
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd48W
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
39A
Continuous Drain Current Id N Channel
39A
Continuous Drain Current Id P Channel
39A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0103ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0103ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
48W
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
On Resistance Rds(on)
0.0103ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PDFN56U
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0004