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SISB46DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
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제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISB46DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링3470680RL
컷 테이프3470680
Product RangeTrenchFET IV Series
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 1 | ₩2,433 | ₩2,433 |
| 총계 가격 | ₩2,433 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,433 |
| 10+ | ₩1,145 |
| 100+ | ₩1,020 |
| 500+ | ₩800 |
| 1000+ | ₩639 |
| 5000+ | ₩628 |
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISB46DN-T1-GE3복사
제조업체 표준 리드 타임56주
주문 코드
리릴링3470680RL
컷 테이프3470680
Product RangeTrenchFET IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel34A
Continuous Drain Current Id P Channel34A
Drain Source On State Resistance N Channel9700µohm
Drain Source On State Resistance P Channel9700µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
34A
Drain Source On State Resistance P Channel
9700µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
TrenchFET IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
34A
Drain Source On State Resistance N Channel
9700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
SISB46DN-T1-GE3의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00008