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SISB46DN-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm
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제품 정보
제조업체VISHAY
제조업체 부품 번호SISB46DN-T1-GE3
주문 코드3470680
Product RangeTrenchFET IV Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel34A
Continuous Drain Current Id P Channel34A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0097ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0097ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel23W
Power Dissipation P Channel23W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET IV Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
34A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0097ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
23W
Product Range
TrenchFET IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
34A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0097ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation N Channel
23W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
SISB46DN-T1-GE3의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00018