페이지 인쇄
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 150 A, 1.2 kV, 0.00733 ohm, Module
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
주문 코드3500941
Product RangeCoolSiC Easy 1B Series
AKAFF08MR12W1MA1_B11A, SP002314006
기술 데이터 시트
11 재고
더 필요하세요?
11 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩399,944 |
| 5+ | ₩349,951 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩399,944
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
주문 코드3500941
Product RangeCoolSiC Easy 1B Series
AKAFF08MR12W1MA1_B11A, SP002314006
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00733ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC Easy 1B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
0.00733ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
20mW
Product Range
CoolSiC Easy 1B Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Germany
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.033641