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BSS138DWQ-13
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 1.4 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호BSS138DWQ-13
주문 코드3944011RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source Voltage Vds P Channel50V
Continuous Drain Current Id N Channel200mA
On Resistance Rds(on)1.4ohm
Continuous Drain Current Id P Channel200mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.4ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel1.4ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd200mW
Power Dissipation N Channel200mW
Power Dissipation P Channel200mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id
200mA
Continuous Drain Current Id N Channel
200mA
Continuous Drain Current Id P Channel
200mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
200mW
Power Dissipation P Channel
200mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source Voltage Vds P Channel
50V
On Resistance Rds(on)
1.4ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
1.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
1.4ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001