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DMG1013UW-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 820 mA, 0.75 ohm, SOT-323, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG1013UW-7
주문 코드2543526
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id820mA
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation310mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
DMG1013UW-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected
- Drain-source voltage is -20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -0.82A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is -6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.31W at TA = +25°C
- SOT-323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
820mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
310mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005