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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMG2302UK-7
주문 코드3127315
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.8A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation660mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
DMG2302UK-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters, and motor control.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 20V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±12V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 2.8A at TA=+25°C, steady state, VGS=4.5V
- Pulsed drain current (10µS pulse, duty cycle=1%) is 12A at TA=+25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 1.1A at TA=+25°C
- Total power dissipation is 0.66W
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
660mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
DMG2302UK-7의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000145