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DMMT5401-7-F
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 150 V, 200 mA
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩432 |
| 50+ | ₩360 |
| 100+ | ₩287 |
| 500+ | ₩182 |
| 1500+ | ₩179 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMMT5401-7-F
주문 코드1773583
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage Max PNP150V
Continuous Collector Current NPN-
Continuous Collector Current PNP200mA
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP300mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP60hFE
Transistor Case StyleSOT-26
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP300MHz
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
제품 개요
The DMMT5401-7-F is a matched PNP small signal surface-mount Transistor Array ideal for low power amplification and switching.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- DMMT5551 Complementary NPN type
- Intrinsically matched PNP pair
- Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Aerospace, Defence, Military, Power Management, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
150V
Continuous Collector Current PNP
200mA
Power Dissipation PNP
300mW
DC Current Gain hFE Min PNP
60hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
300MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Continuous Collector Current NPN
-
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SOT-26
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000016