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DMMT5551S
Bipolar Transistor Array, Dual, Dual NPN, 160 V, 200 mA, 300 mW
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMMT5551S
주문 코드2061408RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN160V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo160V
DC Collector Current200mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN200mA
Power Dissipation Pd300mW
Continuous Collector Current PNP-
DC Current Gain hFE80hFE
Power Dissipation NPN300mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN80hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-26
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
160V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Power Dissipation Pd
300mW
DC Current Gain hFE
80hFE
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
160V
DC Collector Current
200mA
Continuous Collector Current NPN
200mA
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation NPN
300mW
DC Current Gain hFE Min NPN
80hFE
Transistor Case Style
SOT-26
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000018