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DMN1001UCA10-7
Dual MOSFET, N Channel, 12 V, 12 V, 20 A, 20 A, 0.00319 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN1001UCA10-7
주문 코드3405233RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
On Resistance Rds(on)0.00319ohm
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.00319ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.00319ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleX2-TSN1820
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.00319ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.00319ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.00319ohm
Transistor Case Style
X2-TSN1820
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002