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DMN12M7UCA10-7
Dual MOSFET, N Channel, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN12M7UCA10-7
주문 코드3944088RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id20.2A
On Resistance Rds(on)0.00219ohm
Continuous Drain Current Id N Channel20.2A
Continuous Drain Current Id P Channel20.2A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleX4-DSN3015
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation Pd1.73W
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel1.73W
Power Dissipation P Channel1.73W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
On Resistance Rds(on)
0.00219ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
20.2A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
1.73W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
20.2A
Continuous Drain Current Id N Channel
20.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
X4-DSN3015
Power Dissipation Pd
1.73W
Power Dissipation N Channel
1.73W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001