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DMN2005DLP4K-7
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 300 mA, 300 mA, 0.35 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2005DLP4K-7
주문 코드3944089RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id300mA
Continuous Drain Current Id N Channel300mA
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Continuous Drain Current Id P Channel300mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.35ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.35ohm
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Transistor Case StyleX2-DFN1310
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd400mW
Power Dissipation N Channel400mW
Power Dissipation P Channel400mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
300mA
Continuous Drain Current Id P Channel
300mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.35ohm
Rds(on) Test Voltage
4V
Transistor Case Style
X2-DFN1310
Power Dissipation Pd
400mW
Power Dissipation P Channel
400mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
300mA
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.35ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001