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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN2310U-7
주문 코드3405174RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
DMN2310U-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications and load switches.
- Low gate threshold voltage
- Fast switching speed, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±8V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1.6A at TA = +25°C, VGS = 4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 4.8A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.48W at TA = +25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 0.82A at TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002