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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN3008SFG-7
주문 코드3943570RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance3900µohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation900mW
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
DMN3008SFG-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET in an 8 pin PowerDI3333 package. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions and DC-DC converters.
- Dain-source voltage is 30V
- Gate-source voltage is ±20V
- Pulsed drain current is 150A
- Total power dissipation is 0.9W(TA = +25°C)
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Static drain-source on-resistance is 5.5mohm(VGS = 4.5V, ID = 13.5A)
- Low RDS(ON) ensures on-state losses are minimized
- Small, form factor thermally efficient package enables higher density end products
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001