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DMN3055LFDBQ-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN3055LFDBQ-7
주문 코드3828412RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.032ohm
Continuous Drain Current Id N Channel5A
Continuous Drain Current Id P Channel5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.04ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleU-DFN2020
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd1.36W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.36W
Power Dissipation P Channel1.36W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
5A
On Resistance Rds(on)
0.032ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.04ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.36W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
U-DFN2020
Power Dissipation Pd
1.36W
Power Dissipation N Channel
1.36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001