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DMN3190LDWQ-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN3190LDWQ-7
주문 코드3589335RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.122ohm
Continuous Drain Current Id N Channel1A
Continuous Drain Current Id P Channel1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.122ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.122ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd320mW
Power Dissipation N Channel320mW
Power Dissipation P Channel320mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
1A
On Resistance Rds(on)
0.122ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.122ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
320mW
Power Dissipation P Channel
320mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
1A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.122ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
320mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121