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DMN4800LSSQ-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN4800LSSQ-13
주문 코드3943626
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.6A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.46W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.6A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001