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DMN63D8LV-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMN63D8LV-7
주문 코드2543519RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id260mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)2.8ohm
Continuous Drain Current Id N Channel260mA
Continuous Drain Current Id P Channel260mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel2.8ohm
Drain Source On State Resistance P Channel2.8ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-563
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd450mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel450mW
Power Dissipation P Channel450mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
260mA
On Resistance Rds(on)
2.8ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
260mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.8ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
450mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
260mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
2.8ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation Pd
450mW
Power Dissipation N Channel
450mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005