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DMP4025LSD-13
Dual MOSFET, P Channel, 40 V, 40 V, 7.6 A, 7.6 A, 0.018 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMP4025LSD-13
주문 코드2543521RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id7.6A
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Continuous Drain Current Id N Channel7.6A
Continuous Drain Current Id P Channel7.6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.018ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation Pd1.8W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.8W
Power Dissipation P Channel1.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
7.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.8W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
7.6A
Continuous Drain Current Id N Channel
7.6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.8W
Power Dissipation N Channel
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001814