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DMT10H009SK3-13
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Surface Mount
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMT10H009SK3-13
주문 코드3405206
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source On State Resistance0.0069ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
DMT10H009SK3-13 is a 100V N-channel enhancement mode MOSFET in a TO252 package. It features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high-efficiency power management applications. Typical applications include power management functions, DC-DC converters, and backlighting.
- ±20V gate-source voltage
- 9.1mohm at VGS = 10V maximum RDS(on)
- 91A Id maximum Tc=+25°C
- Low RDS(ON) – minimizes power losses
- Low Qg –minimizes switching losses
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%)
- Operating temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
91A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0069ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002