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DMT3009UDT-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0086 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMT3009UDT-7
주문 코드3619754RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id10.6A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.0086ohm
Continuous Drain Current Id N Channel10.6A
Continuous Drain Current Id P Channel10.6A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0086ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0086ohm
Transistor Case StyleV-DFN3030
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd1.1W
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
10.6A
On Resistance Rds(on)
0.0086ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
10.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0086ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0086ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation Pd
1.1W
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
10.6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
V-DFN3030
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001