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DMT3020UFDB-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.021 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMT3020UFDB-7
주문 코드3828437RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id6.5A
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleU-DFN2020
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.3W
Power Dissipation N Channel1.3W
Power Dissipation P Channel1.3W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
6.5A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
1.3W
Power Dissipation P Channel
1.3W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
6.5A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
U-DFN2020
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0001