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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMT61M8SPS-13
주문 코드3589204
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id205A
Drain Source On State Resistance0.0016ohm
Transistor Case StylePowerDI5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
DMT61M8SPS-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET. It is designed to minimize RDS(ON) yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in power management and load switch. Typical applications include engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters.
- 100% unclamped inductive switching test in production-ensures more reliable/robust end application
- High conversion efficiency
- Low RDS(ON) – minimizes on state losses
- Low input capacitance, fast switching speed
- Drain-source voltage is 60V at TC=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TC=+25°C
- Continuous drain current is 205A at TC=+25°C, VGS=10V
- Total power dissipation is 2.7W at TA=+25°C
- PowerDI5060-8 (type K) case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
205A
Transistor Case Style
PowerDI5060
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002