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DMTH10H017LPD-13
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 59 A, 59 A, 0.0137 ohm
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMTH10H017LPD-13
주문 코드3405248RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
On Resistance Rds(on)0.0137ohm
Continuous Drain Current Id N Channel59A
Continuous Drain Current Id P Channel59A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0137ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0137ohm
Transistor Case StylePowerDI5060
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.6W
Power Dissipation N Channel2.6W
Power Dissipation P Channel2.6W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
59A
On Resistance Rds(on)
0.0137ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
59A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0137ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0137ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2.6W
Power Dissipation P Channel
2.6W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
59A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerDI5060
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.6W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0002