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DMTH4011SPD-13
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호DMTH4011SPD-13
주문 코드3944170RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id42A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
On Resistance Rds(on)0.0116ohm
Continuous Drain Current Id N Channel42A
Continuous Drain Current Id P Channel42A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0116ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0116ohm
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StylePowerDI5060
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd37.5W
Power Dissipation N Channel37.5W
Power Dissipation P Channel37.5W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
42A
On Resistance Rds(on)
0.0116ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
42A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0116ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0116ohm
Transistor Case Style
PowerDI5060
Power Dissipation Pd
37.5W
Power Dissipation P Channel
37.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
42A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
37.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001