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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호MMBT5551-7-F
주문 코드1843741RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Continuous Collector Current600mA
Power Dissipation300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency300MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBT5551-7-F is a NPN small signal Bipolar Transistor offers 600mA continuous collector current and 180V collector-base voltage. It is ideal for low power amplification and switching.
- UL94V-0 Flammability rating
- Epitaxial planar die construction
- MMBT5401 Complementary PNP type
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
애플리케이션
Aerospace, Defence, Military, Automotive, Power Management, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
600mA
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
80hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
160V
Power Dissipation
300mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
300MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
MMBT5551-7-F의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000363