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MMDT2227M-7
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 300 mW
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제품 정보
제조업체DIODES INC.
제조업체 부품 번호MMDT2227M-7
주문 코드3944338RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
DC Collector Current600mA
Continuous Collector Current NPN600mA
Power Dissipation Pd300mW
Continuous Collector Current PNP600mA
DC Current Gain hFE100hFE
Power Dissipation NPN300mW
Power Dissipation PNP300mW
DC Current Gain hFE Min NPN100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP100hFE
Transistor Case StyleSOT-26
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN300MHz
Transition Frequency PNP200MHz
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary NPN and PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
DC Collector Current
600mA
Power Dissipation Pd
300mW
DC Current Gain hFE
100hFE
Power Dissipation PNP
300mW
DC Current Gain hFE Min PNP
100hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
200MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current NPN
600mA
Continuous Collector Current PNP
600mA
Power Dissipation NPN
300mW
DC Current Gain hFE Min NPN
100hFE
Transistor Case Style
SOT-26
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
300MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001