페이지 인쇄
105 재고
더 필요하세요?
105 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩178,601 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩178,601
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 개요
G3R20MT17K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Applications includes EV fast charging, solar inverters, industrial motor drives, transportation, industrial power supply, smart grid and HVDC, induction heating and welding, pulsed power.
- Drain-source voltage is 1700V (V=0V, I=100µA, T=25°C), RDS(ON) is 20mohm typ (T=25°C, VGS=15V)
- G3R™ Technology with +15V gate drive, softer R v/s temperature dependency
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, smaller R and lower Q
- Low device capacitances (C0ss, CRss ), superior cost-performance index
- Robust body diode with low V and low QRR, industry-leading UIL & short-circuit robustness
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Reduced ringing, faster, more efficient switching, continuous forward current is 67A (T=100°C)
- Lesser switching spikes and lower losses, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- TO-247-4 package, operating temperature range from -55 to 175°C
기술 사양
| MOSFET Module Configuration | Single |
|---|---|
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Product Range | G3R |
법률 및 환경
| 원산지: 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지: | China 최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가 |
|---|---|
| 관세 번호: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| RoHS 준수: | 예 RoHS |
| RoHS 프탈레이트 준수: | 예 RoHS |
| 제품 준수 증명서 다운로드 | 제품 준수 증명서 |
| 무게(kg): | .008429 |