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AUIRF7342QTR
Dual MOSFET, P Channel, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호AUIRF7342QTR
주문 코드2725791RL
Product RangeHEXFET Series
AKASP001517224
기술 데이터 시트
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id3.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
On Resistance Rds(on)0.095ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.095ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.095ohm
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id
3.4A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.095ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.095ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
On Resistance Rds(on)
0.095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000074