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BF998E6327HTSA1
RF FET Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BF998E6327HTSA1
주문 코드2480770RL
AKABF 998 E6327, SP000010978
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id30mA
Power Dissipation200mW
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleTO-252
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
제품 개요
메모
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
12V
Power Dissipation
200mW
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Continuous Drain Current Id
30mA
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
TO-252
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000635