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BFP420FH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BFP420FH6327XTSA1
주문 코드2480666
AKABFP 420F H6327, SP000745268
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4.5V
Transition Frequency25GHz
Power Dissipation210mW
Continuous Collector Current60mA
Transistor Case StyleTSFP
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min60hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BFP 420F H6327 is a NPN wideband silicon Bipolar RF Transistor designed for mobile applications in which low power consumption is a key requirement. The typical transition frequency is approximately 25GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 4.5GHz in amplifier applications. The device is housed in a thin small flat plastic package with visible leads.
- General purpose low-noise transistor
- Based on Infineon ́s reliable very high volume 25GHz silicon bipolar technology
- Popular in discrete oscillators
- Thin, small and flat with visible leads
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, RF Communications, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
25GHz
Continuous Collector Current
60mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
210mW
Transistor Case Style
TSFP
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008