페이지 인쇄
BFP650FH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, TSFP
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BFP650FH6327XTSA1
주문 코드2480673
AKABFP 650F H6327, SP000750408
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4V
Transition Frequency42GHz
Power Dissipation500mW
Continuous Collector Current150mA
Transistor Case StyleTSFP
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min110hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The BFP 650F H6327 is a linear low-noise Bipolar RF Transistor for medium power amplifiers and driver stages. The device is based on Infineon's reliable high volume silicon germanium technology and ideal for low phase noise oscillators.
- Halogen-free
애플리케이션
Industrial, RF Communications, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
42GHz
Continuous Collector Current
150mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
4V
Power Dissipation
500mW
Transistor Case Style
TSFP
DC Current Gain hFE Min
110hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008