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BFR181WH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
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제품 정보
제조업체INFINEON
제조업체 부품 번호BFR181WH6327XTSA1
주문 코드2617458RL
AKABFR 181W H6327, SP000750418
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation175mW
Continuous Collector Current20mA
Transistor Case StyleSOT-323
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min100hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
Low noise silicon bipolar RF transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA.
- fT = 8GHz, NFmin = 0.9dB at 900MHz
- Easy to use
- Qualification report according to AEC-Q101
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
20mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
175mW
Transistor Case Style
SOT-323
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001